37ec55995b7e423b64c1b565bc954e0e

ZXT13N50DE6, Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 115 МГц

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

51,00 руб.

x 51,00 = 51,00
Артикул: 1130995 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней51,00руб.47,43руб.45,90руб.44,88руб.41,82руб.40,80руб.39,78руб.36,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней92,31руб.84,66руб.83,13руб.81,09руб.75,48руб.73,95руб.71,91руб.64,77руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней119,34руб.110,16руб.107,61руб.105,06руб.97,92руб.95,37руб.93,33руб.83,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней61,20руб.56,10руб.55,08руб.53,55руб.49,98руб.48,96руб.47,43руб.42,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней117,81руб.108,63руб.106,08руб.103,53руб.100,47руб.96,90руб.91,80руб.82,62руб.

Характеристики

ZXT13N50DE6, Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 115 МГц The ZXT13N50DE6 is a SuperSOT4™ NPN silicon low saturation switching Bipolar Transistor. It is a 4th generation ultra-low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency and low voltage switching applications.

• Extremely low equivalent ON-resistance
• Extremely low saturation voltage
• hFE characterised up to 10A
• -55 to 150 C Operating temperature range

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

6вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

50в
Стандарт Корпуса Транзистора

sot-23
Рассеиваемая Мощность

1.1Вт
Полярность Транзистора

npn
DC Ток Коллектора

4А
DC Усиление Тока hFE

450hFE
Частота Перехода ft

115МГц