34531a42a0ab22c47ecc88ada6f1a691

ZXMN10A11G, МОП-транзистор, N Канал, 1.8 А, 100 В, 600 мОм

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

69,00 руб.

x 69,00 = 69,00
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней69,00руб.64,17руб.62,10руб.60,72руб.56,58руб.55,20руб.53,82руб.49,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней124,89руб.114,54руб.112,47руб.109,71руб.102,12руб.100,05руб.97,29руб.87,63руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней161,46руб.149,04руб.145,59руб.142,14руб.132,48руб.129,03руб.126,27руб.113,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней82,80руб.75,90руб.74,52руб.72,45руб.67,62руб.66,24руб.64,17руб.57,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней159,39руб.146,97руб.143,52руб.140,07руб.135,93руб.131,10руб.124,20руб.111,78руб.

Характеристики

ZXMN10A11G, МОП-транзистор, N Канал, 1.8 А, 100 В, 600 мОм The ZXMN10A11G is a N-channel enhancement-mode MOSFET with moulded plastic case and solderable matte tin-finish annealed over copper lead-frame terminals as per MIL-STD-202 standard. It is designed to minimize the ON-state resistance RDS (ON) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

• Low ON-resistance
• Fast switching speed
• Low gate drive
• Low input capacitance
• Halogen-free, Green device
• Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
• Moisture sensitivity level 1 as per J-STD-020
• UL94V-0 Flammability rating

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-223

Рассеиваемая Мощность

3.9Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

100В

Непрерывный Ток Стока

1.8А