Характеристики
Конфигурация | Low-Side |
Тип канала | независимый |
Кол-во каналов | 2 |
Тип управляемого затвора | N/P-CH MOSFET |
Напряжение питания, В | 4…15 |
Логическое напряжение (VIL), В | 1 |
Логическое напряжение (VIH), В | 2 |
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 4 |
Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 4 |
Тип входа | неинвертирующий |
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 20 |
Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 15 |
Рабочая температура, °C | -40…+125 (TA) |
Корпус | soic-8 (0.154 inch) |
Вес, г | 0.15 |