Заполнитель

STP9NK50Z, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

40,00 руб.

x 40,00 = 40,00
Артикул: 1126898 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней40,00руб.37,20руб.36,00руб.35,20руб.32,80руб.32,00руб.31,20руб.28,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней72,40руб.66,40руб.65,20руб.63,60руб.59,20руб.58,00руб.56,40руб.50,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней93,60руб.86,40руб.84,40руб.82,40руб.76,80руб.74,80руб.73,20руб.65,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней48,00руб.44,00руб.43,20руб.42,00руб.39,20руб.38,40руб.37,20руб.33,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней92,40руб.85,20руб.83,20руб.81,20руб.78,80руб.76,00руб.72,00руб.64,80руб.

Характеристики

STP9NK50Z, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал The STP9NK50Z is a SuperMESH™ N-channel Zener-protected MOSFET obtained through an extreme optimization of well-established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications.

• 0.72R RDS (ON)
• Extremely high dV/dt capability
• 100% Avalanche tested
• Gate charge minimized
• Very low intrinsic capacitances
• Very good manufacturing repeatability
• -55 to 150 C Operating junction temperature range

Дополнительная информация

Корпус

to220ab
Структура

n-канал