Заполнитель

STP80NF06, Транзистор, STripFET II, N-канал, 60В, 0.008 Ом

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

271,00 руб.

x 271,00 = 271,00
Артикул: 1127645 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней271,00руб.252,03руб.243,90руб.238,48руб.230,35руб.216,80руб.211,38руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней509,48руб.468,83руб.460,70руб.449,86руб.433,60руб.409,21руб.398,37руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней517,61руб.476,96руб.466,12руб.455,28руб.433,60руб.411,92руб.403,79руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней325,20руб.298,10руб.292,68руб.284,55руб.276,42руб.260,16руб.252,03руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней471,54руб.433,60руб.422,76руб.414,63руб.401,08руб.376,69руб.365,85руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней295,39руб.273,71руб.265,58руб.260,16руб.252,03руб.235,77руб.230,35руб.

Характеристики

STP80NF06, Транзистор, STripFET II, N-канал, 60В, 0.008 Ом The STP80NF06 is a 60V N-channel STripFET™ II Power MOSFET developed using unique «single feature size»™ strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today’s challenging efficiency requirements.

• 100% Avalanche tested
• Low threshold drive

Дополнительная информация

Корпус

to220ab
Структура

n-канал