Заполнитель

STP60NF06, Транзистор, STripFET II, N-канал, 60В, 0.014Ом

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

32,00 руб.

x 32,00 = 32,00
Артикул: 1126889 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней32,00руб.29,76руб.28,80руб.28,16руб.26,24руб.25,60руб.24,96руб.23,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней57,92руб.53,12руб.52,16руб.50,88руб.47,36руб.46,40руб.45,12руб.40,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней74,88руб.69,12руб.67,52руб.65,92руб.61,44руб.59,84руб.58,56руб.52,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней38,40руб.35,20руб.34,56руб.33,60руб.31,36руб.30,72руб.29,76руб.26,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней73,92руб.68,16руб.66,56руб.64,96руб.63,04руб.60,80руб.57,60руб.51,84руб.

Характеристики

STP60NF06, Транзистор, STripFET II, N-канал, 60В, 0.014Ом The STP60NF06 is a 60V N-channel STripFET™ II Power MOSFET realized with unique STripFET process. It has specifically been designed to minimize input capacitance and gate charge. It is therefore suitable as primary switch in advanced high efficiency isolated DC-DC converters for telecom and computer application. It is also intended for any application with low gate charge drive requirements. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today’s challenging efficiency requirements.

• Exceptional dv/dt capability
• 100% Avalanche tested
• Application oriented characterization

Дополнительная информация

Корпус

to220ab
Структура

n-канал