STP20NM60FD, МОП-транзистор, N Канал, 20 А, 600 В, 290 мОм

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

620,00 руб.

Артикул: 1127635 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	620,00руб.	576,60руб.	558,00руб.	545,60руб.	527,00руб.	496,00руб.	483,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	1.165,60руб.	1.072,60руб.	1.054,00руб.	1.029,20руб.	992,00руб.	936,20руб.	911,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	1.184,20руб.	1.091,20руб.	1.066,40руб.	1.041,60руб.	992,00руб.	942,40руб.	923,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	744,00руб.	682,00руб.	669,60руб.	651,00руб.	632,40руб.	595,20руб.	576,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	1.078,80руб.	992,00руб.	967,20руб.	948,60руб.	917,60руб.	861,80руб.	837,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	675,80руб.	626,20руб.	607,60руб.	595,20руб.	576,60руб.	539,40руб.	527,00руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

STP20NM60FD, МОП-транзистор, N Канал, 20 А, 600 В, 290 мОм The STP20NM60FD is a FDmesh™ N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. The FDmesh™ associates all advantages of reduced ON-resistance and fast switching with an intrinsic fast-recovery body diode. It is therefore strongly recommended for bridge topologies, in particular ZVS phase-shift converters.

• High dV/dt and avalanche capabilities
• Low gate input resistance

Дополнительная информация

Структура	n-канал