52н

STGP10NC60KD, IGBT транзистор, N-канальный, 20 А, 2.5 В

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

45,00 руб.

x 45,00 = 45,00
Артикул: 1128385 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней45,00руб.41,85руб.40,50руб.39,60руб.36,90руб.36,00руб.35,10руб.32,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней81,45руб.74,70руб.73,35руб.71,55руб.66,60руб.65,25руб.63,45руб.57,15руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней105,30руб.97,20руб.94,95руб.92,70руб.86,40руб.84,15руб.82,35руб.73,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней54,00руб.49,50руб.48,60руб.47,25руб.44,10руб.43,20руб.41,85руб.37,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней103,95руб.95,85руб.93,60руб.91,35руб.88,65руб.85,50руб.81,00руб.72,90руб.

Характеристики

STGP10NC60KD, IGBT транзистор, N-канальный, 20 А, 2.5 В The STGP10NC60KD is a 600V short-circuit rugged IGBT that utilizes the advanced Power MESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behaviour. The IGBT is ideal for use in SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies. Improved switch-off energy spread versus increasing temperature result in reduced switching losses.

• Lower on-voltage drop
• Lower CRES/CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
• Very soft ultra fast recovery anti-parallel diode
• 10µs Short-circuit withstand time
• Low VCE (sat) for reduced conduction losses
• Tight parameter distribution for design simplification and easy paralleling

Дополнительная информация

Корпус

to-220