52н

Транзистор STGP10NC60KD

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

132,00 руб.

x 132,00 = 132,00
Артикул: 1128626 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней132,00руб.122,76руб.118,80руб.116,16руб.112,20руб.105,60руб.102,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней248,16руб.228,36руб.224,40руб.219,12руб.211,20руб.199,32руб.194,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней252,12руб.232,32руб.227,04руб.221,76руб.211,20руб.200,64руб.196,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней158,40руб.145,20руб.142,56руб.138,60руб.134,64руб.126,72руб.122,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней229,68руб.211,20руб.205,92руб.201,96руб.195,36руб.183,48руб.178,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней143,88руб.133,32руб.129,36руб.126,72руб.122,76руб.114,84руб.112,20руб.

Характеристики

STGP10NC60KDThe STGP10NC60KD is a 600V short-circuit rugged IGBT that utilizes the advanced Power MESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behaviour. The IGBT is ideal for use in SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies. Improved switch-off energy spread versus increasing temperature result in reduced switching losses.

• Lower on-voltage drop
• Lower CRES/CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
• Very soft ultra fast recovery anti-parallel diode
• 10µs Short-circuit withstand time
• Low VCE (sat) for reduced conduction losses
• Tight parameter distribution for design simplification and easy paralleling

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Корпус: TO-220AB, инфо: Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 65 Вт