011

Транзистор STD7N52DK3, Mosfet SuperFREDmesh3, N-канал, 525 В, 0.98 Ом

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

72,00 руб.

x 72,00 = 72,00
Артикул: 1127613 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней72,00руб.66,96руб.64,80руб.63,36руб.59,04руб.57,60руб.56,16руб.51,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней130,32руб.119,52руб.117,36руб.114,48руб.106,56руб.104,40руб.101,52руб.91,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней168,48руб.155,52руб.151,92руб.148,32руб.138,24руб.134,64руб.131,76руб.118,08руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней86,40руб.79,20руб.77,76руб.75,60руб.70,56руб.69,12руб.66,96руб.60,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней166,32руб.153,36руб.149,76руб.146,16руб.141,84руб.136,80руб.129,60руб.116,64руб.

Характеристики

STD7N52DK3, Mosfet SuperFREDmesh3, N-канал, 525 В, 0.98 Ом The STD7N52DK3 is a SuperFREDmesh3™ N-channel Power MOSFET with extremely low on resistance. It has superior dynamic performance, high avalanche capability and a fast body-drain recovery diode, making it especially suitable for the most demanding applications.

• 100% Avalanche tested
• Extremely high dV/dt capability
• Gate charge minimized
• Very low intrinsic capacitances
• Improved diode reverse recovery characteristics
• Zener-protected

Дополнительная информация

Корпус

dpak
Структура

n-канал