011

STD12NF06LT4, Транзистор STripFET N-CH 60V 12A, [D-PAK]

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

43,00 руб.

x 43,00 = 43,00
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней43,00руб.39,99руб.38,70руб.37,84руб.35,26руб.34,40руб.33,54руб.30,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней77,83руб.71,38руб.70,09руб.68,37руб.63,64руб.62,35руб.60,63руб.54,61руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней100,62руб.92,88руб.90,73руб.88,58руб.82,56руб.80,41руб.78,69руб.70,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней51,60руб.47,30руб.46,44руб.45,15руб.42,14руб.41,28руб.39,99руб.36,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней99,33руб.91,59руб.89,44руб.87,29руб.84,71руб.81,70руб.77,40руб.69,66руб.

Характеристики

STD12NF06LT4, Транзистор STripFET N-CH 60V 12A, [D-PAK]The STD12NF06LT4 is a STripFET™ II N-channel Power MOSFET specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. The device suitable for use as primary switch in advanced high-efficiency isolated DC-to-DC converters. It is used in telecom and computer applications and applications with low gate charge driving requirements.

• AEC-Q101 qualified
• Exceptional dV/dt capability
• Low gate charge
• -55 to 175 C Operating junction temperature

Дополнительная информация

Корпус

dpak

Структура

n-канал