16

STB4NK60ZT4, МОП-транзистор, N Канал, 2 А, 600 В, 1.76 Ом

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

63,00 руб.

x 63,00 = 63,00
Артикул: 1133056 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней63,00руб.58,59руб.56,70руб.55,44руб.51,66руб.50,40руб.49,14руб.45,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней114,03руб.104,58руб.102,69руб.100,17руб.93,24руб.91,35руб.88,83руб.80,01руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней147,42руб.136,08руб.132,93руб.129,78руб.120,96руб.117,81руб.115,29руб.103,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней75,60руб.69,30руб.68,04руб.66,15руб.61,74руб.60,48руб.58,59руб.52,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней145,53руб.134,19руб.131,04руб.127,89руб.124,11руб.119,70руб.113,40руб.102,06руб.

Характеристики

STB4NK60ZT4, МОП-транзистор, N Канал, 2 А, 600 В, 1.76 Ом The STB4NK60ZT4 is a 600V N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using SuperMESH™ technology, achieved through optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in on resistance, the MOSFET is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.

• 100% Avalanche tested
• Very low intrinsic capacitance
• Zener-protected

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-263
Рассеиваемая Мощность

70Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

600в
Непрерывный Ток Стока

2А