STB11NM80T4, МОП-транзистор, N Канал, 5.5 А, 800 В, 0.35 Ом

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

990,00 руб.

Артикул: 1133042 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	990,00руб.	920,70руб.	891,00руб.	871,20руб.	841,50руб.	792,00руб.	772,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	1.861,20руб.	1.712,70руб.	1.683,00руб.	1.643,40руб.	1.584,00руб.	1.494,90руб.	1.455,30руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	1.890,90руб.	1.742,40руб.	1.702,80руб.	1.663,20руб.	1.584,00руб.	1.504,80руб.	1.475,10руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	1.188,00руб.	1.089,00руб.	1.069,20руб.	1.039,50руб.	1.009,80руб.	950,40руб.	920,70руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	1.722,60руб.	1.584,00руб.	1.544,40руб.	1.514,70руб.	1.465,20руб.	1.376,10руб.	1.336,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	1.079,10руб.	999,90руб.	970,20руб.	950,40руб.	920,70руб.	861,30руб.	841,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

STB11NM80T4, МОП-транзистор, N Канал, 5.5 А, 800 В, 0.35 Ом The STB11NM80T4 is a MDmesh™ N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. developed using STMicroelectronics’ revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company’s PowerMESH™ horizontal layout. This device offers extremely low ON-resistance, high dV/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST’s proprietary strip technique, this Power MOSFET boasts an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market.

• Low gate input resistance
• Best RDS (ON) Qg in the industry

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-263
Рассеиваемая Мощность	150Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	800В
Непрерывный Ток Стока	5.5А