c4d7ef66c6f5409ef31d6b3aacb63708

SPI08N80C3XKSA1, МОП-транзистор, N Канал, 8 А, 800 В

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

200,00 руб.

x 200,00 = 200,00
Артикул: 1133002 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней200,00руб.186,00руб.180,00руб.176,00руб.170,00руб.160,00руб.156,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней376,00руб.346,00руб.340,00руб.332,00руб.320,00руб.302,00руб.294,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней382,00руб.352,00руб.344,00руб.336,00руб.320,00руб.304,00руб.298,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней240,00руб.220,00руб.216,00руб.210,00руб.204,00руб.192,00руб.186,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней348,00руб.320,00руб.312,00руб.306,00руб.296,00руб.278,00руб.270,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней218,00руб.202,00руб.196,00руб.192,00руб.186,00руб.174,00руб.170,00руб.

Характеристики

SPI08N80C3XKSA1, МОП-транзистор, N Канал, 8 А, 800 В The SPI08N80C3 is a 800V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate current. It is designed for high DC bulk voltage and switching applications.

• New revolutionary high voltage technology
• Extreme dV/dt rated
• High peak current capability
• Qualified according to JEDEC for target applications
• Ultra low effective capacitance
• Low specific ON-state resistance
• Very low energy storage in output capacitance (Eoss)@400V
• Field proven CoolMOS™ quality
• High efficiency and power density
• Outstanding performance
• High reliability
• Ease of use

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-262
Рассеиваемая Мощность

104Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

800В
Непрерывный Ток Стока

8А