IMG_0424_resize.thumb.JPG.1add5a7acde6244bb2098cddd4cebbcc

Силовой модуль IGBT SKIIP24AC126V1

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

6.314,00 руб.

x 6.314,00 = 6.314,00
Артикул: 1086119 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней6.314,00руб.5.872,02руб.5.556,32руб.5.366,90руб.5.177,48руб.5.082,77руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней7.134,82руб.6.440,28руб.6.314,00руб.6.061,44руб.5.872,02руб.5.745,74руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней7.703,08руб.6.945,40руб.6.755,98руб.6.566,56руб.6.187,72руб.5.808,88руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней7.513,66руб.6.755,98руб.6.629,70руб.6.377,14руб.6.124,58руб.5.777,31руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней10.733,80руб.9.660,42руб.9.471,00руб.9.092,16руб.8.776,46руб.8.018,78руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней10.670,66руб.9.597,28руб.9.395,23руб.9.029,02руб.8.713,32руб.7.955,64руб.

Характеристики

ловия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор инвертора
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером 1200 В
IC ток коллектора Tc = 25 (70) °C 52 (40) А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора tимп  1 мс 70 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером ± 20 В
Tj температура перехода — 40 … + 150 °C
Обратный диод инвертора
IF прямой ток Tc = 25 (70) °C 38 (29) A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток tимп  1 мс 70 A
Tj температура перехода — 40 … + 150 °C
ItRMS действующее значение во включенном состоянии для одной силовой клеммы (20A/пружину) 100 A
Tstg температура хранения Top  Tstg — 40 … + 125 °C
Visol напряжение испытания изоляции переменное напряжение, 1 минута 2500 В
Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики мин. ном. макс. Единица измерения
IGBT-транзистор инвертора
VCE(sat) напряжение насыщения коллектора-эмиттера ICnom = 35 A, Tj = 25 (125) °C 1,7 (2) 2,1 (2,4) В
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE, IC = 1,5 мА 5 5,8 6,5 В
VCE(TO) Пороговое напряжение коллектора-эмиттера (статическое) Tj = 25 (125) °C 1 (0,9) 1,2 (1,1) В
rT Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии Tj = 25 (125) °C 20 (31) 26 (37) мОм
Cies Входная емкость при закороченном выходе VGE = 25, VCE = 0 В, f = 1 МГц 2,4 нФ
Coes выходная емкость при закороченном входе VGE = 25, VCE = 0 В, f = 1 МГц 0,5 нФ
Cres Обратная передаточная емкость (емкость Миллера) VGE = 25, VCE = 0 В, f = 1 МГц 0,3 нФ
Rth(j-s) Тепловое сопротивление для одного IGBT 0,75 K/Вт
td(on) длительность задержки включения VCC = 300 В, VGE = ± 15В ICnom = 35 A, Tj = 125 °C RGon = RGoff = 15 Ом индуктивная нагрузка 80 нс
tr время нарастания 30 нс
td(off) длительность задержки выключения 435 нс
tf время спада 95 нс
Eon рассеиваемая энергия в процессе включения 4.2 мДж
Eoff рассеиваемая энергия в процессе выключения 4.4 мДж
Обратный диод инвертора
VF = VEC прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе IFnom = 35 A; Tj = 25 (125) °C 1,8 (1,8) 2,1 (2,2) В
V(TO) пороговое напряжение Tj = 25 (125) °C 1 (0,8) 1,1 (0,9) В
rT прямое дифференциальное сопротивление Tj = 25 (125) °C 23 (31) 29 (37) мОм
Rth(j-s) Тепловое сопротивление для одного диода 1.5 K/Вт
IRRM максимальный ток обратного восстановления IIFnom = 35 A, VR = 300 В VGE = 0В, Tj = 125 °C diF/dt = 1450 A/мкс 43 A
Qrr заряд восстановления 7 мкКл
Err Рассеиваемая энергия в процессе обратного восстановления 3.5 мДж
Датчик температуры
Rts сопротивление 3 %, Tr = 25 (100) °C 1000 (1670) Ом
Механические данные
Ms монтажный вращающий момент 2 2.5 Н · м
m масса 65 грамм
IC — ток коллектора;

Дополнительная информация

Бренд

Semikron