01d222523e5add265bc4386c92093fd8

SIR826ADP-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 60 А, 80 В

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

270,00 руб.

x 270,00 = 270,00
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней270,00руб.251,10руб.243,00руб.237,60руб.229,50руб.216,00руб.210,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней507,60руб.467,10руб.459,00руб.448,20руб.432,00руб.407,70руб.396,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней515,70руб.475,20руб.464,40руб.453,60руб.432,00руб.410,40руб.402,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней324,00руб.297,00руб.291,60руб.283,50руб.275,40руб.259,20руб.251,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней469,80руб.432,00руб.421,20руб.413,10руб.399,60руб.375,30руб.364,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней294,30руб.272,70руб.264,60руб.259,20руб.251,10руб.234,90руб.229,50руб.

Характеристики

SIR826ADP-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 60 А, 80 В The SIR826ADP-T1-GE3 is a 80V N-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for use in primary side switching and DC/AC inverters applications and also used in synchronous rectification circuits.

• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
• 100% Rg Tested
• 100% UIS Tested

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

PowerPAK SO

Рассеиваемая Мощность

104Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

80В

Непрерывный Ток Стока

60А