SIHG20N50C-E3, Транзистор, N-канал 560В 20А [TO-247AC]

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

90,00 руб.

Артикул: 1126803 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	90,00руб.	83,70руб.	81,00руб.	79,20руб.	73,80руб.	72,00руб.	70,20руб.	64,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	162,90руб.	149,40руб.	146,70руб.	143,10руб.	133,20руб.	130,50руб.	126,90руб.	114,30руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	210,60руб.	194,40руб.	189,90руб.	185,40руб.	172,80руб.	168,30руб.	164,70руб.	147,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	108,00руб.	99,00руб.	97,20руб.	94,50руб.	88,20руб.	86,40руб.	83,70руб.	75,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	207,90руб.	191,70руб.	187,20руб.	182,70руб.	177,30руб.	171,00руб.	162,00руб.	145,80руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

SIHG20N50C-E3, Транзистор, N-канал 560В 20А [TO-247AC]The SIHG20N50C-E3 is a 500V N-channel Power MOSFET with high power dissipation and high peak current capability.

• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
• Low figure of merit Ron X Qg
• 100% Avalanche rated
• dV/dt Ruggedness
• Improved Trr/Qrr
• Improved gate charge

Дополнительная информация

Корпус	to247
Структура	n-канал