011

PZT651T1G, Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 75 МГц

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

35,00 руб.

x 35,00 = 35,00
Артикул: 1130243 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней35,00руб.32,55руб.31,50руб.30,80руб.28,70руб.28,00руб.27,30руб.25,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней63,35руб.58,10руб.57,05руб.55,65руб.51,80руб.50,75руб.49,35руб.44,45руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней81,90руб.75,60руб.73,85руб.72,10руб.67,20руб.65,45руб.64,05руб.57,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней42,00руб.38,50руб.37,80руб.36,75руб.34,30руб.33,60руб.32,55руб.29,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней80,85руб.74,55руб.72,80руб.71,05руб.68,95руб.66,50руб.63,00руб.56,70руб.

Характеристики

PZT651T1G, Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 75 МГц The PZT651T1G is a NPN Bipolar Transistor designed for use in industrial and consumer applications. The device is housed in the package which is designed for medium power surface-mount applications. The package ensures level mounting, resulting in improved thermal conduction and allows visual inspection of soldered joints. The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibility of damage to the die.

• Can be soldered using wave or reflow
• Halogen-free
• AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

4вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

60В
Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-223
Рассеиваемая Мощность

800мВт
Полярность Транзистора

npn
DC Ток Коллектора

2А
DC Усиление Тока hFE

75hFE
Частота Перехода ft

75МГц