7

PMGD780SN,115, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

41,00 руб.

x 41,00 = 41,00
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней41,00руб.38,13руб.36,90руб.36,08руб.33,62руб.32,80руб.31,98руб.29,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней74,21руб.68,06руб.66,83руб.65,19руб.60,68руб.59,45руб.57,81руб.52,07руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней95,94руб.88,56руб.86,51руб.84,46руб.78,72руб.76,67руб.75,03руб.67,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней49,20руб.45,10руб.44,28руб.43,05руб.40,18руб.39,36руб.38,13руб.34,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней94,71руб.87,33руб.85,28руб.83,23руб.80,77руб.77,90руб.73,80руб.66,42руб.

Характеристики

PMGD780SN,115, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал The PMGD780SN, 115 is a dual N-channel enhancement-mode FET in a surface-mount plastic package using TrenchMOS™ technology. It is suitable for driver circuits and switching in portable appliances applications. The device offers 40% smaller footprint.

• Fast switching speed
• Low ON-state resistance

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

6вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-363

Рассеиваемая Мощность

410мВт

Полярность Транзистора

Двойной N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

60В

Непрерывный Ток Стока

300мА