22

PHN210T,118, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 2.2 А

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

35,00 руб.

x 35,00 = 35,00
Артикул: 1131834 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней35,00руб.32,55руб.31,50руб.30,80руб.28,70руб.28,00руб.27,30руб.25,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней63,35руб.58,10руб.57,05руб.55,65руб.51,80руб.50,75руб.49,35руб.44,45руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней81,90руб.75,60руб.73,85руб.72,10руб.67,20руб.65,45руб.64,05руб.57,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней42,00руб.38,50руб.37,80руб.36,75руб.34,30руб.33,60руб.32,55руб.29,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней80,85руб.74,55руб.72,80руб.71,05руб.68,95руб.66,50руб.63,00руб.56,70руб.

Характеристики

PHN210T,118, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 2.2 А The PHN210T, 118 is an intermediate level N-channel enhancement-mode FET in a plastic package using vertical TrenchMOS technology. It is designed and qualified for use in computing, DC-to-DC converters, logic level translators, motor and relay driver applications.

• Suitable for high frequency applications due to fast switching characteristics
• Suitable for logic level gate drive sources
• Suitable for low gate drive sources

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOIC
Рассеиваемая Мощность

2Вт
Полярность Транзистора

Двойной N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

30В
Непрерывный Ток Стока

2.2А