3a8eb05b0b0697660955abfbba130f4b

PBSS4440D,115, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 150 МГц

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

43,00 руб.

x 43,00 = 43,00
Артикул: 1130128 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней43,00руб.39,99руб.38,70руб.37,84руб.35,26руб.34,40руб.33,54руб.30,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней77,83руб.71,38руб.70,09руб.68,37руб.63,64руб.62,35руб.60,63руб.54,61руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней100,62руб.92,88руб.90,73руб.88,58руб.82,56руб.80,41руб.78,69руб.70,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней51,60руб.47,30руб.46,44руб.45,15руб.42,14руб.41,28руб.39,99руб.36,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней99,33руб.91,59руб.89,44руб.87,29руб.84,71руб.81,70руб.77,40руб.69,66руб.

Характеристики

PBSS4440D,115, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 150 МГц The PBSS4440D, 115 is a NPN low VCEsat breakthrough in Small Signal (BISS) Transistor in a SMD plastic package with 6 leads. Ultra low collector-emitter saturation voltage VCEsat, 4A continuous collector current capability IC (DC) and very low collector-emitter saturation resistance.

• Very low collector-emitter saturation resistance
• High efficiency due to less heat generation
• 0.8A Base current (DC)

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

6вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

40В
Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-457
Рассеиваемая Мощность

1.1Вт
Полярность Транзистора

npn
DC Ток Коллектора

4А
DC Усиление Тока hFE

300hFE
Частота Перехода ft

150МГц