67

PBSS4160T, Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 220 МГц

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

40,00 руб.

x 40,00 = 40,00
Артикул: 1130114 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней40,00руб.37,20руб.36,00руб.35,20руб.32,80руб.32,00руб.31,20руб.28,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней72,40руб.66,40руб.65,20руб.63,60руб.59,20руб.58,00руб.56,40руб.50,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней93,60руб.86,40руб.84,40руб.82,40руб.76,80руб.74,80руб.73,20руб.65,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней48,00руб.44,00руб.43,20руб.42,00руб.39,20руб.38,40руб.37,20руб.33,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней92,40руб.85,20руб.83,20руб.81,20руб.78,80руб.76,00руб.72,00руб.64,80руб.

Характеристики

PBSS4160T, Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 220 МГц The PBSS4160T is a 1A NPN breakthrough-in small signal (BISS) Transistor in a plastic package. It is suitable for use with the driver in low supply voltage applications and inductive load drivers.

• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High efficiency, reduces heat generation
• Reduces printed-circuit board area required
• PNP complement is PBSS5160T
• U5 Marking code

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

60В
Стандарт Корпуса Транзистора

sot-23
Рассеиваемая Мощность

270мВт
Полярность Транзистора

npn
DC Ток Коллектора

1а
DC Усиление Тока hFE

400hFE
Частота Перехода ft

220МГц