11

NTS4001NT1G, МОП-транзистор, N Канал, 270 мА, 30 В, 1 Ом

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

23,00 руб.

x 23,00 = 23,00
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней23,00руб.21,39руб.20,70руб.20,24руб.18,86руб.18,40руб.17,94руб.16,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней41,63руб.38,18руб.37,49руб.36,57руб.34,04руб.33,35руб.32,43руб.29,21руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней53,82руб.49,68руб.48,53руб.47,38руб.44,16руб.43,01руб.42,09руб.37,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней27,60руб.25,30руб.24,84руб.24,15руб.22,54руб.22,08руб.21,39руб.19,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней53,13руб.48,99руб.47,84руб.46,69руб.45,31руб.43,70руб.41,40руб.37,26руб.

Характеристики

NTS4001NT1G, МОП-транзистор, N Канал, 270 мА, 30 В, 1 Ом The NTS4001NT1G is a N-channel Power MOSFET offers 30V drain source voltage and 270A continuous drain current. It is suitable for use in low side load switch, Li-ion battery supplied devices, cell phones, PDAs, DSC, buck converters and level shifts.

• Low gate charge for fast switching
• Small footprint (30% smaller than TSOP-6)
• ESD Protected gate
• -55 to 150 C Operating junction temperature range

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-323

Рассеиваемая Мощность

330мВт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

30В

Непрерывный Ток Стока

270мА