NTD6416ANLT4G, МОП-транзистор, N Канал, 19 А, 100 В, 68 мОм

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

85,00 руб.

Артикул: 1134701 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	85,00руб.	79,05руб.	76,50руб.	74,80руб.	69,70руб.	68,00руб.	66,30руб.	61,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	153,85руб.	141,10руб.	138,55руб.	135,15руб.	125,80руб.	123,25руб.	119,85руб.	107,95руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	198,90руб.	183,60руб.	179,35руб.	175,10руб.	163,20руб.	158,95руб.	155,55руб.	139,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	102,00руб.	93,50руб.	91,80руб.	89,25руб.	83,30руб.	81,60руб.	79,05руб.	71,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	196,35руб.	181,05руб.	176,80руб.	172,55руб.	167,45руб.	161,50руб.	153,00руб.	137,70руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

NTD6416ANLT4G, МОП-транзистор, N Канал, 19 А, 100 В, 68 мОм The NTD6416ANLT4G is a N-channel Power MOSFET offers 100V drain source voltage and 19A continuous drain current.

• Lower RDS (ON)
• High current capability
• 100% Avalanche tested
• -55 to 175 C Operating junction temperature range

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	175 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-252
Рассеиваемая Мощность	71Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	100В
Непрерывный Ток Стока	19А