67

NSS40200LT1G, Биполярный транзистор, PNP, -40 В, 100 МГц

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

38,00 руб.

x 38,00 = 38,00
Артикул: 1130057 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней38,00руб.35,34руб.34,20руб.33,44руб.31,16руб.30,40руб.29,64руб.27,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней68,78руб.63,08руб.61,94руб.60,42руб.56,24руб.55,10руб.53,58руб.48,26руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней88,92руб.82,08руб.80,18руб.78,28руб.72,96руб.71,06руб.69,54руб.62,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней45,60руб.41,80руб.41,04руб.39,90руб.37,24руб.36,48руб.35,34руб.31,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней87,78руб.80,94руб.79,04руб.77,14руб.74,86руб.72,20руб.68,40руб.61,56руб.

Характеристики

NSS40200LT1G, Биполярный транзистор, PNP, -40 В, 100 МГц The NSS40200LT1G is a PNP Bipolar Transistor designed for use in low voltage and high speed switching applications where affordable efficient energy control is important. It is a miniature surface-mount device featuring ultra-low saturation voltage VCE(sat) and high current gain capability.

• High current gain
• ESD robust
• High cut-off frequency
• Low profile package
• Linear gain (Beta)
• Improved circuit efficiency
• Decreased battery charge time
• Reduce component count
• High frequency switching
• Smaller portable product
• No distortion
• AECQ101 qualified and PPAP capable

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

-40В
Стандарт Корпуса Транзистора

sot-23
Рассеиваемая Мощность

710мВт
Полярность Транзистора

pnp
DC Ток Коллектора

-2А
DC Усиление Тока hFE

150hFE
Частота Перехода ft

100мгц