Заполнитель

NGTB60N65FL2WG, БТИЗ транзистор, 100 А, 1.64 В, 595 Вт

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

1.190,00 руб.

x 1.190,00 = 1.190,00
Артикул: 1136233 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней1.190,00руб.1.106,70руб.1.047,20руб.1.011,50руб.975,80руб.957,95руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней1.344,70руб.1.213,80руб.1.190,00руб.1.142,40руб.1.106,70руб.1.082,90руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней1.451,80руб.1.309,00руб.1.273,30руб.1.237,60руб.1.166,20руб.1.094,80руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней1.416,10руб.1.273,30руб.1.249,50руб.1.201,90руб.1.154,30руб.1.088,85руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней2.023,00руб.1.820,70руб.1.785,00руб.1.713,60руб.1.654,10руб.1.511,30руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней2.011,10руб.1.808,80руб.1.770,72руб.1.701,70руб.1.642,20руб.1.499,40руб.

Характеристики

NGTB60N65FL2WG, БТИЗ транзистор, 100 А, 1.64 В, 595 Вт IGBT Chip
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247 TubeПолупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Одиночные

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

650В
Стандарт Корпуса Транзистора

to-247
Рассеиваемая Мощность

595Вт
DC Ток Коллектора

100А