Заполнитель

Транзистор NGTB30N120IHSWG

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

310,00 руб.

x 310,00 = 310,00
Артикул: 1128591 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней310,00руб.288,30руб.279,00руб.272,80руб.263,50руб.248,00руб.241,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней582,80руб.536,30руб.527,00руб.514,60руб.496,00руб.468,10руб.455,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней592,10руб.545,60руб.533,20руб.520,80руб.496,00руб.471,20руб.461,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней372,00руб.341,00руб.334,80руб.325,50руб.316,20руб.297,60руб.288,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней539,40руб.496,00руб.483,60руб.474,30руб.458,80руб.430,90руб.418,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней337,90руб.313,10руб.303,80руб.297,60руб.288,30руб.269,70руб.263,50руб.

Характеристики

NGTB30N120IHSWGThe NGTB30N120IHSWG is an Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and field-stop (FS) Trench construction and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low ON-state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suited for resonant or soft switching applications. Incorporated into the device is a rugged co-packaged free-wheeling diode with a low forward voltage.

• Low saturation voltage using Trench with field-stop technology
• Low switching loss — Reduces system power dissipation
• Optimized for low case temperature in IH cooker application
• Low gate charge
• Low conduction loss

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Корпус: TO-247, инфо: Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А