MJD31CT4, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 15 Вт, 3 А, 10 hFE

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

53,00 руб.

Артикул: 1129924 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	53,00руб.	49,29руб.	47,70руб.	46,64руб.	43,46руб.	42,40руб.	41,34руб.	38,16руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	95,93руб.	87,98руб.	86,39руб.	84,27руб.	78,44руб.	76,85руб.	74,73руб.	67,31руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	124,02руб.	114,48руб.	111,83руб.	109,18руб.	101,76руб.	99,11руб.	96,99руб.	86,92руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	63,60руб.	58,30руб.	57,24руб.	55,65руб.	51,94руб.	50,88руб.	49,29руб.	44,52руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	122,43руб.	112,89руб.	110,24руб.	107,59руб.	104,41руб.	100,70руб.	95,40руб.	85,86руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

MJD31CT4, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 15 Вт, 3 А, 10 hFEThe MJD31CT4 is a NPN low voltage Power Transistor manufactured using Planar technology with «Base Island» layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.

• Surface-mount power package
• PNP complementary to the type is MJD32C

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер	100В
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-252
Рассеиваемая Мощность	15Вт
Полярность Транзистора	npn
DC Ток Коллектора	3А
DC Усиление Тока hFE	10hFE