MJD243T4G, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 40 МГц

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

66,00 руб.

Артикул: 1129921 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	66,00руб.	61,38руб.	59,40руб.	58,08руб.	54,12руб.	52,80руб.	51,48руб.	47,52руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	119,46руб.	109,56руб.	107,58руб.	104,94руб.	97,68руб.	95,70руб.	93,06руб.	83,82руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	154,44руб.	142,56руб.	139,26руб.	135,96руб.	126,72руб.	123,42руб.	120,78руб.	108,24руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	79,20руб.	72,60руб.	71,28руб.	69,30руб.	64,68руб.	63,36руб.	61,38руб.	55,44руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	152,46руб.	140,58руб.	137,28руб.	133,98руб.	130,02руб.	125,40руб.	118,80руб.	106,92руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

MJD243T4G, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 40 МГц The MJD243T4G is a 4A NPN bipolar Power Transistor designed for low voltage, low power and high gain audio amplifier applications.

• High current-gain — bandwidth product (fT = 40MHz minimum @ IC = 100mA DC)
• AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер	100В
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-252
Рассеиваемая Мощность	12.5Вт
Полярность Транзистора	npn
DC Ток Коллектора	4А
DC Усиление Тока hFE	15hFE
Частота Перехода ft	40МГц