Заполнитель

MJD127G, Биполярный транзистор, дарлингтона, PNP, -100 В

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

69,00 руб.

x 69,00 = 69,00
Артикул: 1129919 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней69,00руб.64,17руб.62,10руб.60,72руб.56,58руб.55,20руб.53,82руб.49,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней124,89руб.114,54руб.112,47руб.109,71руб.102,12руб.100,05руб.97,29руб.87,63руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней161,46руб.149,04руб.145,59руб.142,14руб.132,48руб.129,03руб.126,27руб.113,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней82,80руб.75,90руб.74,52руб.72,45руб.67,62руб.66,24руб.64,17руб.57,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней159,39руб.146,97руб.143,52руб.140,07руб.135,93руб.131,10руб.124,20руб.111,78руб.

Характеристики

MJD127G, Биполярный транзистор, дарлингтона, PNP, -100 В The MJD127G is a 8A PNP bipolar power Darlington Transistor designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. It is the surface-mount replacement for 2N6040 to 2N6045 series, TIP120 to TIP122 series and TIP125 to TIP127 series.

• Lead formed for surface-mount applications in plastic sleeves
• Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistors
• Complementary pairs simplifies designs
• AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

-100В
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252
Рассеиваемая Мощность

1.75Вт
Полярность Транзистора

pnp
DC Ток Коллектора

-8А
DC Усиление Тока hFE

12hFE