IXTP3N120, МОП-транзистор, N Канал, 3 А, 1.2 кВ, 4.5 Ом

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

630,00 руб.

Артикул: 1132641 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	630,00руб.	585,90руб.	567,00руб.	554,40руб.	535,50руб.	504,00руб.	491,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	1.184,40руб.	1.089,90руб.	1.071,00руб.	1.045,80руб.	1.008,00руб.	951,30руб.	926,10руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	1.203,30руб.	1.108,80руб.	1.083,60руб.	1.058,40руб.	1.008,00руб.	957,60руб.	938,70руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	756,00руб.	693,00руб.	680,40руб.	661,50руб.	642,60руб.	604,80руб.	585,90руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	1.096,20руб.	1.008,00руб.	982,80руб.	963,90руб.	932,40руб.	875,70руб.	850,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	686,70руб.	636,30руб.	617,40руб.	604,80руб.	585,90руб.	548,10руб.	535,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IXTP3N120, МОП-транзистор, N Канал, 3 А, 1.2 кВ, 4.5 Ом The IXTP3N120 is a high voltage N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated and rated for unclamped inductive load switching (UIS).

• High dV/dt
• International standard package
• Low RDS (ON)
• UL94V-0 Flammability rating
• Easy to mount
• Space savings
• High power density

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	to-220
Рассеиваемая Мощность	200Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	1.2кВ
Непрерывный Ток Стока	3А