Заполнитель

IXFN64N60P, МОП-транзистор, N Канал, 64 А, 600 В, 96 мОм

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

1.990,00 руб.

x 1.990,00 = 1.990,00
Артикул: 1132615 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней1.990,00руб.1.850,70руб.1.751,20руб.1.691,50руб.1.631,80руб.1.601,95руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней2.248,70руб.2.029,80руб.1.990,00руб.1.910,40руб.1.850,70руб.1.810,90руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней2.427,80руб.2.189,00руб.2.129,30руб.2.069,60руб.1.950,20руб.1.830,80руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней2.368,10руб.2.129,30руб.2.089,50руб.2.009,90руб.1.930,30руб.1.820,85руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней3.383,00руб.3.044,70руб.2.985,00руб.2.865,60руб.2.766,10руб.2.527,30руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней3.363,10руб.3.024,80руб.2.961,12руб.2.845,70руб.2.746,20руб.2.507,40руб.

Характеристики

IXFN64N60P, МОП-транзистор, N Канал, 64 А, 600 В, 96 мОм The IXFN64N60P is a PolarHV™ HiPerFET N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated and fast intrinsic diode.

• International standard package
• miniBLOC with aluminium nitride isolation
• UL94V-0 Flammability rating
• Unclamped inductive switching (UIS) rated
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Low package inductance
• Easy to mount
• Space savings
• High power density
• Low RDS (ON) HDMOS™ process

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

4вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

isotop
Рассеиваемая Мощность

700Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

600в
Непрерывный Ток Стока

64А