Заполнитель

IXFN44N80P, МОП-транзистор, N Канал, 44 А, 800 В, 190 мОм

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

2.330,00 руб.

x 2.330,00 = 2.330,00
Артикул: 1132614 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней2.330,00руб.2.166,90руб.2.050,40руб.1.980,50руб.1.910,60руб.1.875,65руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней2.632,90руб.2.376,60руб.2.330,00руб.2.236,80руб.2.166,90руб.2.120,30руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней2.842,60руб.2.563,00руб.2.493,10руб.2.423,20руб.2.283,40руб.2.143,60руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней2.772,70руб.2.493,10руб.2.446,50руб.2.353,30руб.2.260,10руб.2.131,95руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней3.961,00руб.3.564,90руб.3.495,00руб.3.355,20руб.3.238,70руб.2.959,10руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней3.937,70руб.3.541,60руб.3.467,04руб.3.331,90руб.3.215,40руб.2.935,80руб.

Характеристики

IXFN44N80P, МОП-транзистор, N Канал, 44 А, 800 В, 190 мОм The IXFN44N80P is a PolarHV™ HiPerFET N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated and fast intrinsic diode.

• International standard package
• miniBLOC with aluminium nitride isolation
• UL94V-0 Flammability rating
• Unclamped inductive switching (UIS) rated
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Low package inductance
• Easy to mount
• Space savings
• High power density

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

4вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

isotop
Рассеиваемая Мощность

694Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

800В
Непрерывный Ток Стока

44А