7

IXFK80N60P3, МОП-транзистор, N Канал, 80 А, 600 В, 0.077 Ом

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

1.090,00 руб.

x 1.090,00 = 1.090,00
Артикул: 1132611 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней1.090,00руб.1.013,70руб.959,20руб.926,50руб.893,80руб.877,45руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней1.231,70руб.1.111,80руб.1.090,00руб.1.046,40руб.1.013,70руб.991,90руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней1.329,80руб.1.199,00руб.1.166,30руб.1.133,60руб.1.068,20руб.1.002,80руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней1.297,10руб.1.166,30руб.1.144,50руб.1.100,90руб.1.057,30руб.997,35руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней1.853,00руб.1.667,70руб.1.635,00руб.1.569,60руб.1.515,10руб.1.384,30руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней1.842,10руб.1.656,80руб.1.621,92руб.1.558,70руб.1.504,20руб.1.373,40руб.

Характеристики

IXFK80N60P3, МОП-транзистор, N Канал, 80 А, 600 В, 0.077 Ом The IXFK80N60P3 is a 600V N-channel Enhancement Mode Polar3™ Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™) and low RDS (on). The IXYS most popular power MOSFET (HiPerFET™) is for both hard switching and resonant mode applications. This MOSFET offers low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode.

• Dynamic dV/dt rating
• Avalanche rated
• Low Qg
• Low drain-to-tab capacitance
• Low inductance
• Easy to mount
• Space-saving s

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-264AA
Рассеиваемая Мощность

1.3кВт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

600в
Непрерывный Ток Стока

80А