Заполнитель

IXFH26N60Q, МОП-транзистор, N Канал, 26 А, 600 В, 250 мОм

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

1.360,00 руб.

x 1.360,00 = 1.360,00
Артикул: 1132597 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней1.360,00руб.1.264,80руб.1.196,80руб.1.156,00руб.1.115,20руб.1.094,80руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней1.536,80руб.1.387,20руб.1.360,00руб.1.305,60руб.1.264,80руб.1.237,60руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней1.659,20руб.1.496,00руб.1.455,20руб.1.414,40руб.1.332,80руб.1.251,20руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней1.618,40руб.1.455,20руб.1.428,00руб.1.373,60руб.1.319,20руб.1.244,40руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней2.312,00руб.2.080,80руб.2.040,00руб.1.958,40руб.1.890,40руб.1.727,20руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней2.298,40руб.2.067,20руб.2.023,68руб.1.944,80руб.1.876,80руб.1.713,60руб.

Характеристики

IXFH26N60Q, МОП-транзистор, N Канал, 26 А, 600 В, 250 мОм The IXFH26N60Q is a Q-class HiPerFET™ N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated and fast intrinsic rectifier.

• Low gate charge
• International standard package
• UL94V-0 Flammability rating
• Low RDS (ON) HDMOS™ process
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Avalanche energy and current rated
• Easy to mount
• Space savings
• High power density

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-247
Рассеиваемая Мощность

360Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

600в
Непрерывный Ток Стока

26А