ea54153549ec3456ec49c7660bd45822

IXFH20N80Q, МОП-транзистор, N Канал, 20 А, 800 В, 420 мОм

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

1.830,00 руб.

x 1.830,00 = 1.830,00
Артикул: 1132591 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней1.830,00руб.1.701,90руб.1.610,40руб.1.555,50руб.1.500,60руб.1.473,15руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней2.067,90руб.1.866,60руб.1.830,00руб.1.756,80руб.1.701,90руб.1.665,30руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней2.232,60руб.2.013,00руб.1.958,10руб.1.903,20руб.1.793,40руб.1.683,60руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней2.177,70руб.1.958,10руб.1.921,50руб.1.848,30руб.1.775,10руб.1.674,45руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней3.111,00руб.2.799,90руб.2.745,00руб.2.635,20руб.2.543,70руб.2.324,10руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней3.092,70руб.2.781,60руб.2.723,04руб.2.616,90руб.2.525,40руб.2.305,80руб.

Характеристики

IXFH20N80Q, МОП-транзистор, N Канал, 20 А, 800 В, 420 мОм The IXFH20N80Q is a Q-class HiPerFET™ N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated and fast intrinsic rectifier.

• Low RDS (ON) and QG
• Avalanche energy and current rated
• UL94V-0 Flammability rating
• High dV/dt and low Qg
• Easy to mount
• Space savings
• High power density

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-247
Рассеиваемая Мощность

360Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

800В
Непрерывный Ток Стока

20А