d75b64b08fde7e683dc4c6dba306a922

IXFH15N100, МОП-транзистор, N Канал, 15 А, 1 кВ, 700 мОм

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

1.810,00 руб.

x 1.810,00 = 1.810,00
Артикул: 1132588 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней1.810,00руб.1.683,30руб.1.592,80руб.1.538,50руб.1.484,20руб.1.457,05руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней2.045,30руб.1.846,20руб.1.810,00руб.1.737,60руб.1.683,30руб.1.647,10руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней2.208,20руб.1.991,00руб.1.936,70руб.1.882,40руб.1.773,80руб.1.665,20руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней2.153,90руб.1.936,70руб.1.900,50руб.1.828,10руб.1.755,70руб.1.656,15руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней3.077,00руб.2.769,30руб.2.715,00руб.2.606,40руб.2.515,90руб.2.298,70руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней3.058,90руб.2.751,20руб.2.693,28руб.2.588,30руб.2.497,80руб.2.280,60руб.

Характеристики

IXFH15N100, МОП-транзистор, N Канал, 15 А, 1 кВ, 700 мОм The IXFH15N100 is a HiPerFET™ N-channel enhancement-mode Power MOSFET features low package inductance easy to drive and to protect and fast intrinsic rectifier.

• Unclamped inductive switching (UIS) rated
• International standard package
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Low RDS (ON)
• High dV/dt and low trr
• Easy to mount
• High power density

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-247
Рассеиваемая Мощность

360Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

1кВ
Непрерывный Ток Стока

15А