51

IRLR8103VPBF, МОП-транзистор, N Канал, 91 А, 30 В

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

130,00 руб.

x 130,00 = 130,00
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней130,00руб.120,90руб.117,00руб.114,40руб.110,50руб.104,00руб.101,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней244,40руб.224,90руб.221,00руб.215,80руб.208,00руб.196,30руб.191,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней248,30руб.228,80руб.223,60руб.218,40руб.208,00руб.197,60руб.193,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней156,00руб.143,00руб.140,40руб.136,50руб.132,60руб.124,80руб.120,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней226,20руб.208,00руб.202,80руб.198,90руб.192,40руб.180,70руб.175,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней141,70руб.131,30руб.127,40руб.124,80руб.120,90руб.113,10руб.110,50руб.

Характеристики

IRLR8103VPBF, МОП-транзистор, N Канал, 91 А, 30 В The IRLR8103VPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET ideal for CPU core DC-to-DC converters. This new device employs advanced HEXFET® power MOSFET technology to achieve an unprecedented balance of ON-resistance and gate charge. The reduced conduction and switching losses make it ideal for high efficiency DC-to-DC converters that power the latest generation of microprocessors. The IRLR8103V has been optimized for all parameters that are critical in synchronous buck converters including RDS (ON), gate charge and CdV/dt-induced turn-ON immunity. The IRLR8103V offers an extremely low combination of Qsw and RDS (ON) for reduced losses in both control and synchronous FET applications. The package is designed for vapour phase, infrared, convection or wave soldering techniques. Power dissipation of greater than 2W is possible in a typical PCB mount application. This minimizes parallel MOSFET is ideal for high current applications.

• Low conduction losses
• Low switching losses
• 100% Rg tested
• Fully avalanche rating
• Logic Level

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252

Рассеиваемая Мощность

115Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

30В

Непрерывный Ток Стока

91А