51

IRLR3410PBF, Транзистор, N-канал 100В 17А [D-PAK]

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

31,00 руб.

x 31,00 = 31,00
Артикул: 1126381 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней31,00руб.28,83руб.27,90руб.27,28руб.25,42руб.24,80руб.24,18руб.22,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней56,11руб.51,46руб.50,53руб.49,29руб.45,88руб.44,95руб.43,71руб.39,37руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней72,54руб.66,96руб.65,41руб.63,86руб.59,52руб.57,97руб.56,73руб.50,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней37,20руб.34,10руб.33,48руб.32,55руб.30,38руб.29,76руб.28,83руб.26,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней71,61руб.66,03руб.64,48руб.62,93руб.61,07руб.58,90руб.55,80руб.50,22руб.

Характеристики

IRLR3410PBF, Транзистор, N-канал 100В 17А [D-PAK]The IRLR3410PBF is a 100V single N-channel HEXFET® Power MOSFET, fifth generation HEXFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFET is well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The D-PAK is designed for surface mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface mount applications.

• Logic level gate drive
• Ultra low on-resistance
• Surface mount
• Advanced process technology
• Fast switching
• Fully avalanche rated

Дополнительная информация

Корпус

dpak
Структура

n-канал