Заполнитель

Транзистор IRL7833PBF

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

130,00 руб.

x 130,00 = 130,00
Артикул: 1128191 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней130,00руб.120,90руб.117,00руб.114,40руб.110,50руб.104,00руб.101,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней244,40руб.224,90руб.221,00руб.215,80руб.208,00руб.196,30руб.191,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней248,30руб.228,80руб.223,60руб.218,40руб.208,00руб.197,60руб.193,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней156,00руб.143,00руб.140,40руб.136,50руб.132,60руб.124,80руб.120,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней226,20руб.208,00руб.202,80руб.198,90руб.192,40руб.180,70руб.175,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней141,70руб.131,30руб.127,40руб.124,80руб.120,90руб.113,10руб.110,50руб.

Характеристики

IRL7833PBFThe IRL7833PBF is a 30V single N-channel HEXFET Power MOSFET ideal for high frequency isolated DC-DC converters with synchronous rectification. This MOSFET is used in high frequency synchronous buck converters for computer processor power.

• Very low RDS(ON) at 4.5V VGS
• Ultra-low gate impedance
• Fully characterized avalanche voltage and current
• Industry-leading quality
• Trench MOSFET technology
• ±20V Gate to source voltage
• 0.96W/ C Linear derating factor
• 1.04 C/W Thermal resistance, junction to case
• 62 C/W Thermal resistance, junction to ambient

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: TO-220AB, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 30В 150А