52н

IRL3705NPBF, Транзистор, N-канал 55В 89А [TO-220AB]

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

65,00 руб.

x 65,00 = 65,00
Артикул: 1126306 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней65,00руб.60,45руб.58,50руб.57,20руб.53,30руб.52,00руб.50,70руб.46,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней117,65руб.107,90руб.105,95руб.103,35руб.96,20руб.94,25руб.91,65руб.82,55руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней152,10руб.140,40руб.137,15руб.133,90руб.124,80руб.121,55руб.118,95руб.106,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней78,00руб.71,50руб.70,20руб.68,25руб.63,70руб.62,40руб.60,45руб.54,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней150,15руб.138,45руб.135,20руб.131,95руб.128,05руб.123,50руб.117,00руб.105,30руб.

Характеристики

IRL3705NPBF, Транзистор, N-канал 55В 89А [TO-220AB]The IRL3705NPBF is a HEXFET® fifth generation N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.

• Logic level gate drive
• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rating

Дополнительная информация

Корпус

to220ab
Структура

n-канал