47

Транзистор IRGS8B60KPBF, IGBT 600В 28А 10-30кГц D2Pak

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

170,00 руб.

x 170,00 = 170,00
Артикул: 1128586 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней170,00руб.158,10руб.153,00руб.149,60руб.144,50руб.136,00руб.132,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней319,60руб.294,10руб.289,00руб.282,20руб.272,00руб.256,70руб.249,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней324,70руб.299,20руб.292,40руб.285,60руб.272,00руб.258,40руб.253,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней204,00руб.187,00руб.183,60руб.178,50руб.173,40руб.163,20руб.158,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней295,80руб.272,00руб.265,20руб.260,10руб.251,60руб.236,30руб.229,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней185,30руб.171,70руб.166,60руб.163,20руб.158,10руб.147,90руб.144,50руб.

Характеристики

IRGS8B60KPBF, IGBT 600В 28А 10-30кГц D2PakSingle IGBT up to 20A, Infineon
Optimised IGBTs designed for medium frequency applications with fast response which provide the user with the highest efficiency available. These devices utilise FRED diodes optimised to provide the best performance with IGBTsIGBT транзисторы

Дополнительная информация

Корпус

D2Pak
Структура

*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением n-канал