47

Транзистор IRGB4056DPBF, IGBT 600В 24А [TO-220AB]

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

190,00 руб.

x 190,00 = 190,00
Артикул: 1128339 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней190,00руб.176,70руб.171,00руб.167,20руб.161,50руб.152,00руб.148,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней357,20руб.328,70руб.323,00руб.315,40руб.304,00руб.286,90руб.279,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней362,90руб.334,40руб.326,80руб.319,20руб.304,00руб.288,80руб.283,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней228,00руб.209,00руб.205,20руб.199,50руб.193,80руб.182,40руб.176,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней330,60руб.304,00руб.296,40руб.290,70руб.281,20руб.264,10руб.256,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней207,10руб.191,90руб.186,20руб.182,40руб.176,70руб.165,30руб.161,50руб.

Характеристики

IRGB4056DPBF, IGBT 600В 24А [TO-220AB]The IRGB4056DPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. It features rugged transient performance for increased reliability and excellent current sharing in parallel operation. It is suitable for a wide range of switching frequencies due to low VCE (ON) and low switching losses.

• Low VCE (ON) Trench IGBT technology
• Low switching losses
• Square RBSOA
• 100% of Parts tested for 4X rated current (ILM)
• Positive VCE (ON) temperature coefficient
• Ultrafast soft recovery co-pack diode
• Tight parameter distribution
• High efficiency in a wide range of applications
• Low EMI
• 5µs Short-circuit SOA

Дополнительная информация

Корпус

TO-220AB
Структура

n-канал+диод