47

Транзистор IRG4BC20UDPBF, IGBT+ диод 600В 13А [TO-220AB]

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

93,00 руб.

x 93,00 = 93,00
Артикул: 1128290 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней93,00руб.86,49руб.83,70руб.81,84руб.76,26руб.74,40руб.72,54руб.66,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней168,33руб.154,38руб.151,59руб.147,87руб.137,64руб.134,85руб.131,13руб.118,11руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней217,62руб.200,88руб.196,23руб.191,58руб.178,56руб.173,91руб.170,19руб.152,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней111,60руб.102,30руб.100,44руб.97,65руб.91,14руб.89,28руб.86,49руб.78,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней214,83руб.198,09руб.193,44руб.188,79руб.183,21руб.176,70руб.167,40руб.150,66руб.

Характеристики

IRG4BC20UDPBF, IGBT+ диод 600В 13А [TO-220AB]The IRG4BC20UDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. It is optimized for high operating frequencies 8 to 40kHz in hard switching, >200kHz in resonant mode. The generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than generation 3. The IGBT co-packaged with HEXFRED® ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations. The HEXFRED® diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics require less/no snubbing.

• Optimized for specific application conditions
• Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard generation 3 IR IGBTs

Дополнительная информация

Корпус

TO-220AB
Структура

n-канал+диод