61

IRFSL4227PBF, МОП-транзистор, N Канал, 62 А, 200 В

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

500,00 руб.

x 500,00 = 500,00
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней500,00руб.465,00руб.450,00руб.440,00руб.425,00руб.400,00руб.390,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней940,00руб.865,00руб.850,00руб.830,00руб.800,00руб.755,00руб.735,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней955,00руб.880,00руб.860,00руб.840,00руб.800,00руб.760,00руб.745,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней600,00руб.550,00руб.540,00руб.525,00руб.510,00руб.480,00руб.465,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней870,00руб.800,00руб.780,00руб.765,00руб.740,00руб.695,00руб.675,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней545,00руб.505,00руб.490,00руб.480,00руб.465,00руб.435,00руб.425,00руб.

Характеристики

IRFSL4227PBF, МОП-транзистор, N Канал, 62 А, 200 В N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon
Infineon’s range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

TO-262

Рассеиваемая Мощность

330Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

200В

Непрерывный Ток Стока

62А