IRFS7540TRLPBF, Транзистор, StrongIRFETс диодом, N-канал

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

131,00 руб.

Артикул: 1127232 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	131,00руб.	121,83руб.	117,90руб.	115,28руб.	111,35руб.	104,80руб.	102,18руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	246,28руб.	226,63руб.	222,70руб.	217,46руб.	209,60руб.	197,81руб.	192,57руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	250,21руб.	230,56руб.	225,32руб.	220,08руб.	209,60руб.	199,12руб.	195,19руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	157,20руб.	144,10руб.	141,48руб.	137,55руб.	133,62руб.	125,76руб.	121,83руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	227,94руб.	209,60руб.	204,36руб.	200,43руб.	193,88руб.	182,09руб.	176,85руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	142,79руб.	132,31руб.	128,38руб.	125,76руб.	121,83руб.	113,97руб.	111,35руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFS7540TRLPBF, Транзистор, StrongIRFETс диодом, N-канал The IRFS7540TRLPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for battery powered circuits, synchronous rectifier applications, O-ring and redundant power switches, half-bridge and full-bridge topologies.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability

Дополнительная информация

Корпус	d2pak
Структура	n-канал