IRFS7534TRL7PP, Транзистор, StrongIRFET с диодом, N-канал

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

202,00 руб.

Артикул: 1127229 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	202,00руб.	187,86руб.	181,80руб.	177,76руб.	171,70руб.	161,60руб.	157,56руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	379,76руб.	349,46руб.	343,40руб.	335,32руб.	323,20руб.	305,02руб.	296,94руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	385,82руб.	355,52руб.	347,44руб.	339,36руб.	323,20руб.	307,04руб.	300,98руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	242,40руб.	222,20руб.	218,16руб.	212,10руб.	206,04руб.	193,92руб.	187,86руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	351,48руб.	323,20руб.	315,12руб.	309,06руб.	298,96руб.	280,78руб.	272,70руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	220,18руб.	204,02руб.	197,96руб.	193,92руб.	187,86руб.	175,74руб.	171,70руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFS7534TRL7PP, Транзистор, StrongIRFET с диодом, N-канал The IRFS7534TRL7PP is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, DC-to-DC and AC-to-DC converters.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability

Дополнительная информация

Корпус	d2pak
Структура	n-канал