16

IRFRC20PBF, МОП-транзистор, N Канал, 2 А, 600 В, 4.4 Ом

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

83,00 руб.

x 83,00 = 83,00
Артикул: 1132568 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней83,00руб.77,19руб.74,70руб.73,04руб.68,06руб.66,40руб.64,74руб.59,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней150,23руб.137,78руб.135,29руб.131,97руб.122,84руб.120,35руб.117,03руб.105,41руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней194,22руб.179,28руб.175,13руб.170,98руб.159,36руб.155,21руб.151,89руб.136,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней99,60руб.91,30руб.89,64руб.87,15руб.81,34руб.79,68руб.77,19руб.69,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней191,73руб.176,79руб.172,64руб.168,49руб.163,51руб.157,70руб.149,40руб.134,46руб.

Характеристики

IRFRC20PBF, МОП-транзистор, N Канал, 2 А, 600 В, 4.4 Ом The IRFRC20PBF is a 600V N-channel Power MOSFET designed for fast switching, rugged device design and low on-resistance. The DPAK is designed for surface mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU, SiHFU series) is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface mount applications.

• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• Easy to parallel
• Fast switching

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252
Рассеиваемая Мощность

42Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

600в
Непрерывный Ток Стока

2А