7

IRFP4868PBF, Транзистор, N-канал 300В 70А [TO-247AC]

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

350,00 руб.

x 350,00 = 350,00
Артикул: 1126187 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней350,00руб.325,50руб.315,00руб.308,00руб.297,50руб.280,00руб.273,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней658,00руб.605,50руб.595,00руб.581,00руб.560,00руб.528,50руб.514,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней668,50руб.616,00руб.602,00руб.588,00руб.560,00руб.532,00руб.521,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней420,00руб.385,00руб.378,00руб.367,50руб.357,00руб.336,00руб.325,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней609,00руб.560,00руб.546,00руб.535,50руб.518,00руб.486,50руб.472,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней381,50руб.353,50руб.343,00руб.336,00руб.325,50руб.304,50руб.297,50руб.

Характеристики

IRFP4868PBF, Транзистор, N-канал 300В 70А [TO-247AC]The IRFP4868PBF is a 300V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology. Suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching, hard switched and high frequency circuits.

• Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability

Дополнительная информация

Корпус

to247ac
Структура

n-канал