47

IRFL014NPBF, Транзистор, N-канал 55В 1.9А [SOT-223]

Поставка электронных компонентов в Санкт-Петербург

21,00 руб.

x 21,00 = 21,00
Артикул: 1126153 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Санкт-Петербург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней21,00руб.19,53руб.18,90руб.18,48руб.17,22руб.16,80руб.16,38руб.15,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней38,01руб.34,86руб.34,23руб.33,39руб.31,08руб.30,45руб.29,61руб.26,67руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней49,14руб.45,36руб.44,31руб.43,26руб.40,32руб.39,27руб.38,43руб.34,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней25,20руб.23,10руб.22,68руб.22,05руб.20,58руб.20,16руб.19,53руб.17,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней48,51руб.44,73руб.43,68руб.42,63руб.41,37руб.39,90руб.37,80руб.34,02руб.

Характеристики

IRFL014NPBF, Транзистор, N-канал 55В 1.9А [SOT-223]The IRFL014NPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation of 1W is possible in a typical surface-mount application.

• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rating
• Low static drain-to-source ON-resistance

Дополнительная информация

Корпус

sot223
Структура

n-канал